半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

前言:

1確保PECVD軟件界面正在運行

2確保登錄到系統

3確保過程室已正確清潔

4給負載鎖排氣

5加載樣品

6抽空負載鎖

7載入菜單

9運行工藝菜單

10從加載鎖中卸載樣品

11運行室清潔

12補充文件

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD

重要用法說明:

  • 基板尺寸:直徑為4英寸或更小。如果基板小於3英寸直徑,請使用4英寸載板。
  • 不允許使用粘合劑。
  • 不允許使用光刻膠。
  • 沒有使用載玻片將基板固定在4英寸載體晶圓上。
  • 承載晶片上的基板厚度必須小於1毫米,這是因為4英寸承載晶片中基板的3“直徑凹陷深度。
  • 禁止使用某些金屬:鉍(Bi),鎘(Cd),碳(C),鎵(Ga),金(Au),銦(In),鉛(Pb),鋰(Li),硒(Se) ,硫(S),碲(Te),T(Tl),錫(Sn),鋅(Zn)

1.確保PECVD軟件界面正在運行

  • 如果軟件未運行,請雙擊PC桌面上的PC 2000圖標以啟動程序。
半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD opening screen

2.確保登錄到系統

1.在屏幕頂部的菜單欄中單擊“系統”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD menu

2.在下拉菜單中選擇“密碼”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD pull down menu

3.出現以下對話框。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD log-in

4.如果“當前用戶”和“訪問級別”分別在訪問控制窗口的上部框中顯示“用戶”和“用戶”,則單擊“確定”,然後轉到第4節“對負載鎖進行排氣”。如果不是,請轉到下一步。

5.在訪問控制窗口下部的“名稱”和“密碼”字段中輸入“用戶”,然後單擊“驗證”。

6.確保當前用戶和訪問級別在訪問控制窗口的上部框中分別顯示“用戶”和“用戶”。然後,單擊“確定”。

3.確保適當地清洗過腔室

1. 從下拉菜單中選擇日誌視圖

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD clean 1

2.出現以下屏幕。

注意:開始沉積過程之前,請確保檢查系統日誌文件以驗證反應室的當前狀況。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD clean 1

3.您將要單擊底部向下的箭頭以轉到最新活動,或者可以按日期選擇。

  • 重要的是,您要驗證當前的腔室狀況,即最近進行了哪些過程?進行了正確的腔室清潔已進行了多長時間?
  • 如果尚未進行適當的腔室清潔,請通知工作人員(Meredith Metzler:在seas.upenn.edu上的metzlerm或Kyle Keenan:在seas.upenn.edu上的kckeenan),幷包括清洗機系統日誌中的日期和時間戳。運行有問題。(有關正確清潔處理室的更多信息,請參見第11節。)

4.您將要確保前一位用戶進行的最終腔室清潔的持續時間等於總沉積時間 15分鐘。

  • 例如,如果您連續15分鐘進行了3次連續5分鐘的SiO2沉積,則需要將腔室清潔運行15 + 15 = 30分鐘。無需為清潔過程裝載晶片或工件載體。

5.(a)合上負載鎖蓋,(b)單擊“撤離”,(c)輸入乾淨的“ PennKey –乾淨的[時間]”的名稱,然後(d)單擊“確定”。

6.選擇“腔室清潔”配方。

7.在必須清潔腔室之前,您最多可以沉積5微米。

  • 重要的是要確保對腔室進行適當的調節以適應您要運行的過程。
  • 在最終器件樣品上進行沉積過程之前,擁有可用於表徵測量的監測材料(空白硅)非常重要。

4.排空裝載鎖

  • 如果運行調節配方,請轉到第6節“降低負載鎖定”。
半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD vent-evacuate

裝載室泵顯示器

  1. 單擊“停止”,然後在泵控制屏幕(默認屏幕)左下方的負載鎖定泵顯示屏中單擊“放氣”。
  2. 加載鎖定顯示將更改如下:“清除前放氣”“在排氣前清除負載鎖”“排氣負荷鎖”“負載鎖定完成排氣”

5.加載樣品

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD load lock - PECVD load sample

  1. 打開負載鎖定蓋,用黑色旋鈕將其提起。注意:Loadlock內部將處於高溫狀態。
  2. 用晶圓夾或戴手套的手抓住樣品晶圓或載具晶圓的邊緣,然後小心地將其放在晶圓傳送臂上,並使晶圓的平齊位置緊貼2個晶圓擋塊。
  3. 關閉裝載鎖蓋。

6.抽空裝載鎖

1.單擊“停止”,然後在負載鎖泵顯示屏中“撤離”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD vent-evacuate

2.出現“加載晶圓或泵加載鎖定”窗口。

注意:如果您單擊“取消”,則該工具將假定加載鎖是空的,並且不會運行配方(只會撤消加載鎖)。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD popup window

3.在框中輸入以下內容。

“ PennKey” –“薄膜”“時間”

注意:您的PennKey是您登錄IRIS時使用的名稱,而不是您的PENN ID#。目的是使您的名字出現在過程日誌文件中,而不僅僅是一個數字。

例如:

PennKey –測試SiO2 15分鐘

或者:

PennKey –清潔25分鐘

7.載入食譜

1. 從下拉 菜單中選擇配方

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD pull down process

2. 出現以下屏幕。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD recipe screen

3.在配方屏幕上,單擊“加載”。如果已經加載了配方,則加載的窗口將詢問“是否覆蓋當前配方(名稱)?”。

  • 單擊“是”以使用當前加載的配方以外的配方,或對當前配方進行編輯。
  • 單擊“否”以使用當前配方而不進行編輯。

4.如果要加載新配方,請從配方彈出窗口中選擇合適的配方,然後單擊“確定”(請參閱PECVD配方中的配方參數摘要)。配方名稱將顯示在屏幕頂部附近,並在下面的左欄中顯示其步驟列表。

5.如果不需要對配方的時間設置進行任何編輯,請轉到第9節“運行配方”。

1.要編輯/查看配方中的給定步驟,請單擊該步驟,然後從下拉菜單中選擇“編輯步驟”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD recipe pull down

2.在過程步驟編輯器窗口中輸入所需時間(HH:MM:SS)。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD recipe time

3.單擊“確定”。(程序將返回到配方屏幕。)

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD recipe OK

9.運行菜單配方

1.單擊“運行”以在配方屏幕中啟動當前配方。程序將自動返回到“過程控制”屏幕,將晶片裝入處理室並進行處理,然後將其卸載到加載鎖。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD recipe menu


2.當過程完成並且晶片返回到裝載鎖時,軟件將返回到“泵控制”屏幕,並出現“過程狀態”對話框,指示“過程已完成”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

PECVD process complete dialog

3.單擊確定。

4.現在,在“黃色警報”窗口中單擊“接受”,指示“已結束過程”。

半導體設備—牛津等離子體實驗室設備操作程序說明

yellow alert

10.從加載鎖中卸載樣品

1.排空負載鎖,如第3節所示。

2.一旦裝載鎖定泵的顯示屏顯示“裝載鎖定完成排氣”,您可以打開裝載鎖定以取出帶有樣品的晶片/載體晶片。

3.要處理另一個樣品,請重複步驟4-8。

4.如果該過程完成,請關閉上鎖蓋,然後繼續下一步。

11.運行腔室清潔

1.抽空負載鎖,並遵循第5節中的命名約定。

2.選擇“腔室清潔”配方,並記住總清潔時間等於您的總沉積時間加15分鐘。

3.完成腔室清潔後,將負載鎖保持在真空狀態。

重要說明:在清潔配方完成運行之前,請勿通過IRIS註銷該工具。過早登出將使工具互鎖並停止過程氣流,從而導致工具上出現紅色警報。這將使該工具對於下一位研究人員處於無法使用的狀態,直到工作人員可以對警報進行處理為止,並且下一位用戶將需要進行腔室清潔,然後才能處理其樣品。


分享到:


相關文章: